Shipping
Same-day dispatch from stock
Genuine parts
Verified sourcing
RoHS
Compliant
Support
Technical team support
Specifications
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 20
- Memory Format
- SRAM
- Montaj
- Surface Mount
- Standby Currentmax
- 0.12A
- Ambalaj
- Tray
- Access Time
- 3.4ns
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Memory Types
- Volatile
- Terminal Sayısı
- 100
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Pin Sayısı
- 100
- Syncasync
- Synchronous
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn)
- Parça Durumu
- Obsolete
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Supply Voltagemin Vsup
- 3.135V
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Memory Size
- 36Mb 1M x 36
- Terminal Pozisyonu
- QUAD
- Pin Sayısı
- 100
- Yayın Yılı
- 2006
- Temel Parça No
- CY7C1460
- Density
- 36 Mb
- ECCN Kodu
- 3A991.B.2.A
- Additional Feature
- PIPELINED ARCHITECTURE
- Organization
- 1MX36
- JESD-609 Kodu
- e3
- Word Size
- 36b
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Memory Interface
- Parallel
- Seri
- NoBL™
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Nominal Supply Current
- 375mA
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.6mm
- Uzunluk
- 20mm
- Besleme Gerilimi
- 3.3V
Related Products
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory