Shipping
Same-day dispatch from stock
Genuine parts
Verified sourcing
RoHS
Compliant
Support
Technical team support
Specifications
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Terminal Sayısı
- 100
- Memory Types
- Volatile
- Pin Sayısı
- 100
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Syncasync
- Synchronous
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 20
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Memory Format
- SRAM
- Montaj
- Surface Mount
- Standby Currentmax
- 0.07A
- Ambalaj
- Tray
- Access Time
- 2.6ns
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- Memory Size
- 18Mb 512K x 36
- Pin Sayısı
- 100
- Yayın Yılı
- 2011
- Terminal Pozisyonu
- QUAD
- Temel Parça No
- CY7C1370
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn)
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Parça Durumu
- Obsolete
- Supply Voltagemin Vsup
- 3.135V
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Çalışma Sıcaklığı
- 0°C~70°C TA
- Word Size
- 36b
- Seri
- NoBL™
- Memory Interface
- Parallel
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.6mm
- Nominal Supply Current
- 350mA
- Uzunluk
- 20mm
- Density
- 18 Mb
- ECCN Kodu
- 3A991.B.2.A
- Organization
- 512KX36
- JESD-609 Kodu
- e3
- Additional Feature
- PIPELINED ARCHITECTURE
- Clock Frequency
- 250MHz
Related Products
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory