Volume pricing
- 1+ pcs$22.25
- 10+ pcs$20.99
- 100+ pcs$19.80
- 500+ pcs$18.68
Shipping
Same-day dispatch from stock
Genuine parts
Verified sourcing
RoHS
Compliant
Support
Technical team support
Specifications
- Besleme Gerilimi
- 3V
- Memory Width
- 8
- Kılıf / Paket
- 54-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
- Jesd30 Code
- R-PDSO-G54
- Memory Format
- SRAM
- Parça Durumu
- Active
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 30
- Fabrika Tedarik Süresi
- 13 Weeks
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Besleme Gerilimi
- 2.2V~3.6V
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Memory Types
- Volatile
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.2V
- HTS Kodu
- 8542.32.00.41
- Memory Interface
- Parallel
- JESD-609 Kodu
- e3
- Genişlik
- 10.16mm
- Terminal Kaplaması
- Tin (Sn)
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Organization
- 2MX8
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- Terminal Sayısı
- 54
- Yayın Yılı
- 2012
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.2mm
- Write Cycle Time Word Page
- 10ns
- Memory Density
- 16777216 bit
- Terminal Adımı
- 0.8mm
- ECCN Kodu
- 3A991.B.2.A
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Ambalaj
- Tray
- Uzunluk
- 22.415mm
- Memory Size
- 16Mb 2M x 8
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Yüzey Montaj
- YES
- Access Time Max
- 10 ns
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
Related Products
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory