Shipping
Same-day dispatch from stock
Genuine parts
Verified sourcing
RoHS
Compliant
Support
Technical team support
Specifications
- Besleme Gerilimi
- 2.2V~3.6V
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Memory Format
- SRAM
- Jesd30 Code
- R-PDSO-G54
- Parça Durumu
- Active
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 30
- Fabrika Tedarik Süresi
- 13 Weeks
- Kılıf / Paket
- 54-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
- Besleme Gerilimi
- 3V
- Memory Width
- 16
- Genişlik
- 10.16mm
- JESD-609 Kodu
- e3
- Memory Interface
- Parallel
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.2V
- HTS Kodu
- 8542.32.00.41
- Memory Types
- Volatile
- Memory Density
- 16777216 bit
- Write Cycle Time Word Page
- 10ns
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.2mm
- Yayın Yılı
- 1996
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Terminal Sayısı
- 54
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- Organization
- 1MX16
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn)
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Yüzey Montaj
- YES
- Access Time Max
- 10 ns
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Memory Size
- 16Mb 1M x 16
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Uzunluk
- 22.415mm
- Terminal Adımı
- 0.8mm
- ECCN Kodu
- 3A991.B.2.A
Related Products
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory