CY7C1041G30-10BVXI

Specifications

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~85°C TA

Besleme Gerilimi

2.2V~3.6V

Kurşunsuz

Lead Free

Kılıf / Paket

48-VFBGA

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Output Characteristics

3-STATE

Fabrika Tedarik Süresi

13 Weeks

Memory Format

SRAM

Power Supplies

2.5/3.3V

Parça Durumu

Active

Besleme Gerilimi

3V

Memory Width

16

JESD-609 Kodu

e1

Genişlik

6mm

HTS Kodu

8542.32.00.41

Supply Voltagemin Vsup

2.2V

Qualification Status

Not Qualified

Memory Interface

Parallel

Memory Types

Volatile

Pin Sayısı

48

Nem Hassasiyeti (MSL)

3 (168 Hours)

Yayın Yılı

2012

Maks. Oturma Yüksekliği

1mm

Write Cycle Time Word Page

10ns

Memory Density

4194304 bit

Supply Voltagemax Vsup

3.6V

Terminal Sayısı

48

Io Type

COMMON

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Terminal Kaplaması

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

Terminal Pozisyonu

BOTTOM

Organization

256KX16

Standby Currentmax

0.008A

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Standby Voltagemin

1V

Montaj Tipi

Surface Mount

Memory Size

4Mb 256K x 16

Access Time Max

10 ns

Yüzey Montaj

YES

Uzunluk

8mm