Shipping
Same-day dispatch from stock
Genuine parts
Verified sourcing
RoHS
Compliant
Support
Technical team support
Specifications
- JESD-609 Kodu
- e4
- Write Cycle Time Word Page
- 55ns
- Memory Format
- SRAM
- Jesd30 Code
- R-PDSO-G44
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.194mm
- Memory Width
- 16
- HTS Kodu
- 8542.32.00.41
- Besleme Gerilimi
- 2.2V~3.6V
- Besleme Gerilimi
- 3V
- Memory Interface
- Parallel
- Memory Types
- Volatile
- Access Time Max
- 55 ns
- Parça Durumu
- Active
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Uzunluk
- 18.415mm
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Terminal Kaplaması
- Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
- Memory Density
- 4194304 bit
- Organization
- 256KX16
- Yayın Yılı
- 2012
- Terminal Adımı
- 0.8mm
- Genişlik
- 10.16mm
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~125°C TA
- Memory Size
- 4Mb 256K x 16
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 30
- Ambalaj
- Tray
- Yüzey Montaj
- YES
- Terminal Sayısı
- 44
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.2V
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Seri
- MoBL®
- Temel Parça No
- CY62147
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Fabrika Tedarik Süresi
- 18 Weeks
- Kılıf / Paket
- 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
- ECCN Kodu
- 3A991.B.2.A
Related Products
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory