CY14B116K-ZS25XI

Specifications

Contact Plating

Gold

Besleme Gerilimi

3V

Terminal Sayısı

44

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Memory Width

8

Nominal Supply Current

95mA

Ambalaj

Tray

Memory Format

NVSRAM

Density

16 Mb

Pin Sayısı

44

Besleme Gerilimi

2.7V~3.6V

Write Cycle Time Word Page

25ns

Organization

2MX8

Uzunluk

18.415mm

Operating Mode

ASYNCHRONOUS

Terminal Pozisyonu

DUAL

Yayın Yılı

2005

Qualification Status

Not Qualified

Memory Size

16Mb 2M x 8

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Data Bus Width

8b

ECCN Kodu

3A991.B.2.B

Maks. Oturma Yüksekliği

1.194mm

Operating Supply Voltage

3V

Memory Interface

Parallel

Kılıf / Paket

44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)

Supply Voltagemin Vsup

2.7V

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~85°C TA

Fabrika Tedarik Süresi

26 Weeks

Fonksiyon Sayısı

1

Access Time Max

25 ns

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

JESD-609 Kodu

e3

Montaj Tipi

Surface Mount

Terminal Adımı

0.8mm

HTS Kodu

8542.32.00.41

Nem Hassasiyeti (MSL)

3 (168 Hours)

Supply Voltagemax Vsup

3.6V

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Memory Types

Non-Volatile