AO4430

Specifications

Drainsource On Resistancemax

0.0055Ohm

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55 °C

Current Continuous Drain Id25

18A Ta

Ds Breakdown Voltagemin

30V

Pin Sayısı

8

Terminal Formu

GULL WING

Radyasyon Dayanımı

No

Pin Sayısı

8

Casepackage

SO

Montaj Tipi

Surface Mount

Lifecycle Status

NRND (Last Updated: 4 years ago)

Gate To Source Voltage Vgs

20 V

Yayın Yılı

2007

Gate Charge Qg Max Vgs

124nC @ 10V

Power Dissipation

3 W

Number Of Elements

1

Vgs Max

±20V

Fet Type

N-Channel

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Rds On Max Id Vgs

5.5m Ω @ 18A, 10V

Input Capacitance

7.27 nF

Terminal Sayısı

8

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150 °C

Montaj

Surface Mount

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Continuous Drain Current Id

18 A

Power Dissipation Max

3W Ta

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Rds On Max

5.5 mΩ

Drain To Source Voltage Vdss

30 V

Kılıf / Paket

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

Max Power Dissipation

3 W

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

4.5V 10V

Parça Durumu

Not For New Designs

Terminal Pozisyonu

DUAL

RoHS

Compliant

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Fabrika Tedarik Süresi

16 Weeks

Transistor Element Material

SILICON