MRF174

Specifications

Tip

RF Power MOSFET

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Gain

11.8 dB

Vgs Gatesource Voltage

40 V

Terminal Pozisyonu

RADIAL

Number Of Elements

1

Power Output

125W

Gate To Source Voltage Vgs

40V

Id Continuous Drain Current

13 A

Output Power

125 W

Ds Breakdown Voltagemin

65V

Pin Sayısı

4

Radyasyon Dayanımı

No

Vds Drainsource Breakdown Voltage

65 V

Akım Değeri

13A

Maks. Çalışma Sıcaklığı

200°C

Max Power Dissipation

270W

Min. Çalışma Sıcaklığı

-65°C

Yayın Yılı

2009

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Rds On Drainsource Resistance

2.5 mOhms

Configuration

Single

Ambalaj

Tray

Continuous Drain Current Id

13A

Kılıf / Paket

221-11-3

Case Connection

SOURCE

Operating Frequency

200 MHz

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Kurşunsuz Kodu

yes

Pd Power Dissipation

270 W

Terminal Sayısı

4

Vgs Th Gatesource Threshold Voltage

3 V

Transistor Application

AMPLIFIER

Technology

Si

Ürün Tipi

RF MOSFET Transistors

Terminal Formu

FLAT

Montaj Stili

SMD/SMT

Noise Figure

3dB

Pin Sayısı

4

Transistor Type

N-Channel