Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Çalışma Sıcaklığı
- 150°C TJ
- Number Of Elements
- 1
- Transistor Element Material
- SILICON
- Transistor Type
- NPN
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 425V
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Currentcollector Ic Max
- 4A
- Configuration
- SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Yüzey Montaj
- NO
- Power Max
- 80W
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 11 @ 2A 5V
- Current Collector Cutoff Max
- 100μA
- Parça Durumu
- Active
- Transistor Application
- SWITCHING
- Temel Parça No
- BUJD203A
- Montaj Tipi
- Through Hole
- Case Connection
- COLLECTOR
- Reference Standard
- IEC-60134
- Polaritychannel Type
- NPN
- Kılıf / Paket
- TO-220-3
- Terminal Pozisyonu
- SINGLE
- Jedec95 Code
- TO-220AB
- ECCN Kodu
- EAR99
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
- Terminal Sayısı
- 3
- Jesd30 Code
- R-PSFM-T3
- Ambalaj
- Tube
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 1V @ 600mA, 3A
İlgili Ürünler
ON Semiconductor
12A02CH-TL-E
Single BJT Transistors
ON Semiconductor
12A02MH-TL-E
Single BJT Transistors
ON Semiconductor
15C01C-TB-E
Single BJT Transistors
Sanyo
15C01M-TL-E
Single BJT Transistors
ON Semiconductor
15C01SS-TL-E
Single BJT Transistors
ON Semiconductor
15C02CH-TL-E
Single BJT Transistors
ON Semiconductor
15C02MH-TL-E
Single BJT Transistors
Microchip Technology
2C2222A
Single BJT Transistors