SI7703EDN-T1-GE3

Teknik Özellikler

Drain To Source Resistance

41 mΩ

Drain To Source Voltage Vdss

-20 V

Rds On Max

48 mΩ

Threshold Voltage

-1 V

Max Power Dissipation

1.3 W

Turn Off Delay Time

23 ns

Power Dissipation

1.3 W

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55 °C

Turn On Delay Time

4 ns

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150 °C

Montaj

Surface Mount

Gate To Source Voltage Vgs

12 V

Drain To Source Breakdown Voltage

20 V

Radyasyon Dayanımı

No

Pin Sayısı

8

Fall Time

6 ns

Reach Svhc

No SVHC

RoHS

Compliant

Rise Time

6 ns