OPB892L51Z

Teknik Özellikler

Forward Current

50mA

Touchscreen

Infrared (IR)

Currentcollector Ic Max

30mA

Sensing Method

Through-Beam

Montaj Tipi

Chassis Mount

Collectoremitter Breakdown Voltage

30V

Kılıf / Paket

PCB Mount

Ambalaj

Bulk

Algılama Mesafesi

0.125 (3.18mm)

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~85°C

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

30V

Number Of Elements

1

Min. Çalışma Sıcaklığı

-40°C

Montaj

Chassis Mount, Screw

Reverse Breakdown Voltage

2V

Maks. Çalışma Sıcaklığı

85°C

Max Collector Current

30mA

Tip

Unamplified

Parça Durumu

Active

Collector Emitter Voltage Vceo

30V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Pin Sayısı

4

Radyasyon Dayanımı

No

Current Dc Forward If Max

50mA

Fabrika Tedarik Süresi

12 Weeks

Yayın Yılı

2006

Output Configuration

Phototransistor

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Power Dissipation

100mW