OPB891T51Z

Teknik Özellikler

Sensing Method

Through-Beam

Collectoremitter Breakdown Voltage

30V

Montaj Tipi

Chassis Mount

Reach Svhc

No SVHC

Kılıf / Paket

PCB Mount

Max Power Dissipation

100mW

Genişlik

6.35mm

Forward Current

50mA

Touchscreen

Infrared (IR)

Input Current

20mA

Currentcollector Ic Max

30mA

Min. Çalışma Sıcaklığı

-40°C

Montaj

Chassis Mount, PCB, Screw

Reverse Breakdown Voltage

2V

Maks. Çalışma Sıcaklığı

85°C

Output Voltage

30V

Max Collector Current

30mA

Tip

Unamplified

Terminal

Solder

Forward Voltage

1.3V

Ambalaj

Bulk

Algılama Mesafesi

0.125 (3.18mm)

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

30V

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~85°C

Number Of Elements

1

Yükseklik

10.92mm

Pin Sayısı

4

Housing Material

Plastic

Parça Durumu

Active

Collector Emitter Voltage Vceo

30V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Yayın Yılı

2006

Reverse Voltage Dc

2V

Output Configuration

Phototransistor

Kurşunsuz

Lead Free

Uzunluk

24.63mm

Power Dissipation

100mW

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Radyasyon Dayanımı

No

Current Dc Forward If Max

50mA