OPB891T51

Teknik Özellikler

Power Dissipation

100 mW

RoHS Durumu

Non-RoHS Compliant

Yayın Yılı

2002

Output Configuration

Phototransistor

RoHS

Non-Compliant

Current Dc Forward If Max

50mA

Çıkış Tipi

Phototransistor

Pin Sayısı

4

Yükseklik

11.1 mm

Housing Material

Plastic

Parça Durumu

Obsolete

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Collector Emitter Voltage Vceo

30 V

Reverse Breakdown Voltage

2 V

Maks. Çalışma Sıcaklığı

85 °C

Max Collector Current

30 mA

Tip

Unamplified

Min. Çalışma Sıcaklığı

-40 °C

Montaj

Screw, Through Hole

Algılama Mesafesi

0.125 (3.18mm)

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

30V

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~85°C

Number Of Elements

1

Ambalaj

Bulk

Kılıf / Paket

PCB Mount

Sensing Method

Through-Beam

Montaj Tipi

Chassis Mount

Collectoremitter Breakdown Voltage

30 V

Currentcollector Ic Max

30mA

Forward Current

50 mA