OPB891N51Z

Teknik Özellikler

Current Dc Forward If Max

50mA

RoHS

Compliant

Wavelength

890 nm

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Power Dissipation

100mW

Output Configuration

Phototransistor

Yayın Yılı

2011

Parça Durumu

Obsolete

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Collector Emitter Voltage Vceo

30V

Pin Sayısı

4

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

30V

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~85°C

Algılama Mesafesi

0.125 (3.18mm)

Ambalaj

Bulk

Max Collector Current

30mA

Tip

Unamplified

Maks. Çalışma Sıcaklığı

85°C

Min. Çalışma Sıcaklığı

-40°C

Montaj

Free Hanging

Currentcollector Ic Max

30mA

Touchscreen

Infrared (IR)

Forward Current

50mA

Kılıf / Paket

Module, Pre-Wired

Collectoremitter Breakdown Voltage

30V

Montaj Tipi

Free Hanging

Sensing Method

Through-Beam