OPB882T51Z

Teknik Özellikler

Parça Durumu

Active

Collector Emitter Voltage Vceo

30V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Pin Sayısı

4

Fabrika Tedarik Süresi

12 Weeks

Current Dc Forward If Max

50mA

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Power Dissipation

100mW

Yayın Yılı

2011

Output Configuration

Phototransistor

Touchscreen

Infrared (IR)

Currentcollector Ic Max

30mA

Forward Current

50mA

Kılıf / Paket

Module, Pre-Wired

Sensing Method

Through-Beam

Collectoremitter Breakdown Voltage

30V

Montaj Tipi

Chassis Mount

Algılama Mesafesi

0.125 (3.18mm)

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

30V

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~85°C

Number Of Elements

1

Ambalaj

Bulk

Reverse Breakdown Voltage

2V

Maks. Çalışma Sıcaklığı

85°C

Max Collector Current

30mA

Tip

Unamplified

Min. Çalışma Sıcaklığı

-40°C

Montaj

Chassis Mount, Screw