OPB881T51Z

Teknik Özellikler

Forward Current

50mA

Currentcollector Ic Max

30mA

Collectoremitter Breakdown Voltage

30V

Montaj Tipi

Chassis Mount

Sensing Method

Through-Beam

Kılıf / Paket

Module, Pre-Wired

Ambalaj

Bulk

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~85°C

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

30V

Algılama Mesafesi

0.125 (3.18mm)

Min. Çalışma Sıcaklığı

-40°C

Montaj

Chassis Mount

Max Collector Current

30mA

Tip

Unamplified

Maks. Çalışma Sıcaklığı

85°C

Polarity

NPN

Parça Durumu

Active

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Collector Emitter Voltage Vceo

30V

Pin Sayısı

4

Current Dc Forward If Max

50mA

Fabrika Tedarik Süresi

12 Weeks

Output Configuration

Phototransistor

Yayın Yılı

2011

Power Dissipation

100mW

RoHS Durumu

RoHS Compliant