OPB880T55Z

Teknik Özellikler

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Radyasyon Dayanımı

No

Current Dc Forward If Max

50mA

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Power Dissipation

100mW

Kurşunsuz

Lead Free

Output Configuration

Phototransistor

Yayın Yılı

2012

Parça Durumu

Active

Collector Emitter Voltage Vceo

30V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Pin Sayısı

4

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

30V

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~85°C

Max Output Current

30mA

Number Of Elements

1

Algılama Mesafesi

0.125 (3.18mm)

Ambalaj

Bulk

Max Collector Current

30mA

Tip

Unamplified

Reverse Breakdown Voltage

2V

Maks. Çalışma Sıcaklığı

85°C

Min. Çalışma Sıcaklığı

-40°C

Montaj

Chassis Mount, Screw, Through Hole

Max Breakdown Voltage

30V

Currentcollector Ic Max

30mA

Touchscreen

Infrared (IR)

Forward Current

50mA

Kılıf / Paket

Module, Pre-Wired

Collectoremitter Breakdown Voltage

30V

Montaj Tipi

Chassis Mount

Sensing Method

Through-Beam