OPB880T51

Teknik Özellikler

Collectoremitter Breakdown Voltage

30 V

Montaj Tipi

Chassis Mount

Sensing Method

Through-Beam

Kılıf / Paket

Module, Pre-Wired

Forward Current

50 mA

Currentcollector Ic Max

30mA

Montaj

Chassis Mount, Screw

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55 °C

Tip

Unamplified

Max Collector Current

30 mA

Maks. Çalışma Sıcaklığı

155 °C

Composition

Thin Film

Reverse Breakdown Voltage

2 V

Temperature Coefficient

50 ppm/°C

Ambalaj

Bulk

Direnç

1.87 kΩ

Number Of Elements

1

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~85°C

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

30V

Algılama Mesafesi

0.125 (3.18mm)

Yükseklik

650 µm

Tolerans

1 %

Pin Sayısı

4

Collector Emitter Voltage Vceo

30 V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Parça Durumu

Obsolete

Operating Supply Voltage

1.7 V

Output Configuration

Phototransistor

Yayın Yılı

2006

RoHS Durumu

Non-RoHS Compliant

Power Dissipation

100 mW

Power Rating

100 mW

Current Dc Forward If Max

50mA

Voltage Rating

100 V

RoHS

Non-Compliant