OPB880P51Z

Teknik Özellikler

Pin Sayısı

4

Yükseklik

15.75mm

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Collector Emitter Voltage Vceo

30V

Parça Durumu

Active

Housing Material

Plastic

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Power Dissipation

100mW

Uzunluk

18.47mm

Kurşunsuz

Lead Free

Reverse Voltage Dc

2V

Output Configuration

Phototransistor

Yayın Yılı

2011

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Number Of Channels

1

Current Dc Forward If Max

50mA

Radyasyon Dayanımı

No

Wavelength

890 nm

Kılıf / Paket

Module, Pre-Wired

Reach Svhc

No SVHC

Montaj Tipi

Chassis Mount

Collectoremitter Breakdown Voltage

30V

Sensing Method

Through-Beam

Currentcollector Ic Max

30mA

Input Current

20mA

Forward Current

50mA

Genişlik

6.35mm

Tip

Unamplified

Max Collector Current

30mA

Output Voltage

30V

Maks. Çalışma Sıcaklığı

85°C

Reverse Breakdown Voltage

2V

Montaj

Chassis Mount, Screw

Min. Çalışma Sıcaklığı

-40°C

Number Of Elements

1

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~85°C

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

30V

Algılama Mesafesi

0.125 (3.18mm)

Ambalaj

Bulk

Forward Voltage

1.3V