OPB880P51

Teknik Özellikler

Output Configuration

Phototransistor

Yayın Yılı

2002

Power Dissipation

100mW

RoHS Durumu

Non-RoHS Compliant

Current Dc Forward If Max

50mA

Çıkış Tipi

Phototransistor

RoHS

Non-Compliant

Yükseklik

11.1mm

Pin Sayısı

4

Collector Emitter Voltage Vceo

30V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Parça Durumu

Obsolete

Housing Material

Plastic

Montaj

Chassis Mount, Screw

Min. Çalışma Sıcaklığı

-40°C

Tip

Unamplified

Max Collector Current

30mA

Maks. Çalışma Sıcaklığı

85°C

Reverse Breakdown Voltage

2V

Ambalaj

Bulk

Number Of Elements

1

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

30V

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~85°C

Algılama Mesafesi

0.125 (3.18mm)

Collectoremitter Breakdown Voltage

30V

Montaj Tipi

Chassis Mount

Sensing Method

Through-Beam

Kılıf / Paket

Module, Pre-Wired

Forward Current

50mA

Currentcollector Ic Max

30mA