OPB877T55

Teknik Özellikler

Current Dc Forward If Max

50mA

Fabrika Tedarik Süresi

12 Weeks

Output Configuration

Phototransistor

Yayın Yılı

2007

Power Dissipation

100mW

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Collector Emitter Voltage Vceo

30V

Parça Durumu

Active

Pin Sayısı

4

Ambalaj

Bulk

Forward Voltage

1.3V

Number Of Elements

1

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~85°C

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

30V

Algılama Mesafesi

0.125 (3.18mm)

Montaj

Screw, Through Hole

Min. Çalışma Sıcaklığı

-40°C

Tip

Unamplified

Max Collector Current

30mA

Maks. Çalışma Sıcaklığı

85°C

Reverse Breakdown Voltage

2V

Forward Current

50mA

Currentcollector Ic Max

30mA

Touchscreen

Infrared (IR)

Collectoremitter Breakdown Voltage

30V

Montaj Tipi

Through Hole

Sensing Method

Through-Beam

Output Current

30mA

Kılıf / Paket

PCB Mount