OPB877N51

Teknik Özellikler

Pin Sayısı

4

Polarity

NPN

Collector Emitter Voltage Vceo

30V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Parça Durumu

Obsolete

Yayın Yılı

2011

Output Configuration

Phototransistor

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Power Dissipation

100mW

Wavelength

890 nm

Current Dc Forward If Max

50mA

Sensing Method

Through-Beam

Collectoremitter Breakdown Voltage

30V

Montaj Tipi

Chassis Mount

Kılıf / Paket

Module, Pre-Wired

Forward Current

50mA

Currentcollector Ic Max

30mA

Montaj

Chassis Mount

Min. Çalışma Sıcaklığı

-40°C

Maks. Çalışma Sıcaklığı

85°C

Tip

Unamplified

Max Collector Current

30mA

Ambalaj

Bulk

Algılama Mesafesi

0.125 (3.18mm)

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~85°C

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

30V