OPB876N55

Teknik Özellikler

Kılıf / Paket

Module, Pre-Wired

Collectoremitter Breakdown Voltage

30V

Montaj Tipi

Chassis Mount

Sensing Method

Through-Beam

Currentcollector Ic Max

30mA

Touchscreen

Infrared (IR)

Forward Current

50mA

Max Collector Current

30mA

Tip

Unamplified

Reverse Breakdown Voltage

2V

Maks. Çalışma Sıcaklığı

85°C

Min. Çalışma Sıcaklığı

-40°C

Montaj

Chassis Mount, Through Hole

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

30V

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~85°C

Number Of Elements

1

Algılama Mesafesi

0.125 (3.18mm)

Ambalaj

Bulk

Pin Sayısı

4

Parça Durumu

Active

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Collector Emitter Voltage Vceo

30V

Power Dissipation

100mW

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Output Configuration

Phototransistor

Yayın Yılı

2011

Fabrika Tedarik Süresi

12 Weeks

Radyasyon Dayanımı

No

Current Dc Forward If Max

50mA