OPB875T55

Teknik Özellikler

Power Dissipation

100mW

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Output Configuration

Phototransistor

Yayın Yılı

2012

Current Dc Forward If Max

50mA

Wavelength

890 nm

Pin Sayısı

4

Parça Durumu

Obsolete

Collector Emitter Voltage Vceo

30V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Max Collector Current

30mA

Tip

Unamplified

Maks. Çalışma Sıcaklığı

85°C

Min. Çalışma Sıcaklığı

-40°C

Montaj

Through Hole

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~85°C

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

30V

Algılama Mesafesi

0.125 (3.18mm)

Ambalaj

Bulk

Kılıf / Paket

PCB Mount

Collectoremitter Breakdown Voltage

30V

Montaj Tipi

Through Hole

Sensing Method

Through-Beam

Currentcollector Ic Max

30mA

Touchscreen

Infrared (IR)

Forward Current

50mA