OPB872T51

Teknik Özellikler

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Power Dissipation

100mW

Yayın Yılı

2012

Output Configuration

Phototransistor

Wavelength

890 nm

Current Dc Forward If Max

50mA

Pin Sayısı

4

Parça Durumu

Obsolete

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Collector Emitter Voltage Vceo

30V

Maks. Çalışma Sıcaklığı

85°C

Max Collector Current

30mA

Tip

Unamplified

Min. Çalışma Sıcaklığı

-40°C

Montaj

Through Hole

Algılama Mesafesi

0.125 (3.18mm)

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~85°C

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

30V

Ambalaj

Bulk

Kılıf / Paket

PCB Mount

Sensing Method

Through-Beam

Montaj Tipi

Through Hole

Collectoremitter Breakdown Voltage

30V

Touchscreen

Infrared (IR)

Currentcollector Ic Max

30mA

Forward Current

50mA