OPB871N51TXV

Teknik Özellikler

Current Dc Forward If Max

50mA

Ambalaj

Bulk

Algılama Mesafesi

0.125 (3.18mm)

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

30V

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~85°C

Fabrika Tedarik Süresi

12 Weeks

Yayın Yılı

2012

Min. Çalışma Sıcaklığı

-40°C

Output Configuration

Phototransistor

Montaj

Chassis Mount

Maks. Çalışma Sıcaklığı

85°C

Max Collector Current

30mA

RoHS Durumu

Non-RoHS Compliant

Tip

Unamplified

Touchscreen

Infrared (IR)

Parça Durumu

Obsolete

Currentcollector Ic Max

30mA

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Sensing Method

Through-Beam

Collectoremitter Breakdown Voltage

30V

Montaj Tipi

Chassis Mount

Kılıf / Paket

Module, Pre-Wired

Pin Sayısı

4