OPB871N51

Teknik Özellikler

Tip

Unamplified

Max Collector Current

30mA

Maks. Çalışma Sıcaklığı

85°C

Reverse Breakdown Voltage

2V

Montaj

Chassis Mount, Through Hole

Min. Çalışma Sıcaklığı

-40°C

Number Of Elements

1

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~85°C

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

30V

Algılama Mesafesi

0.125 (3.18mm)

Ambalaj

Bulk

Kılıf / Paket

Module, Pre-Wired

Collectoremitter Breakdown Voltage

30V

Montaj Tipi

Chassis Mount

Sensing Method

Through-Beam

Currentcollector Ic Max

30mA

Touchscreen

Infrared (IR)

Forward Current

50mA

Power Dissipation

100mW

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Output Configuration

Phototransistor

Yayın Yılı

2011

Fabrika Tedarik Süresi

12 Weeks

Current Dc Forward If Max

50mA

Pin Sayısı

4

Collector Emitter Voltage Vceo

30V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Parça Durumu

Active