OPB870T55

Teknik Özellikler

Number Of Elements

1

Output Configuration

Phototransistor

Currentcollector Ic Max

30mA

Forward Current

50mA

Montaj Tipi

Through Hole

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

30V

Maks. Çalışma Sıcaklığı

85°C

Pin Sayısı

4

Power Dissipation

100mW

Algılama Mesafesi

0.125 (3.18mm)

Sensing Method

Through-Beam

Kılıf / Paket

PCB Mount

Max Breakdown Voltage

30V

Max Collector Current

30mA

Current Dc Forward If Max

50mA

Tip

Unamplified

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Ambalaj

Bulk

Fabrika Tedarik Süresi

10 Weeks

Yayın Yılı

2012

Reverse Breakdown Voltage

2V

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~85°C

Touchscreen

Infrared (IR)

Collector Emitter Voltage Vceo

30V

Min. Çalışma Sıcaklığı

-40°C

Montaj

Screw, Through Hole

Parça Durumu

Obsolete

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Collectoremitter Breakdown Voltage

30V