OPB870T51

Teknik Özellikler

Fabrika Tedarik Süresi

12 Weeks

Yayın Yılı

2002

Reverse Breakdown Voltage

2V

Ambalaj

Bulk

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Tip

Unamplified

Max Power Dissipation

100mW

Uzunluk

24.61mm

Output Voltage

30V

Reverse Voltage Dc

2V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Collectoremitter Breakdown Voltage

30V

Parça Durumu

Active

Montaj

Screw, Through Hole

Touchscreen

Infrared (IR)

Collector Emitter Voltage Vceo

30V

Min. Çalışma Sıcaklığı

-40°C

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~85°C

Maks. Çalışma Sıcaklığı

85°C

Pin Sayısı

4

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

30V

Yükseklik

10.8mm

Montaj Tipi

Through Hole

Currentcollector Ic Max

30mA

Forward Current

50mA

Output Configuration

Phototransistor

Number Of Elements

1

Current Dc Forward If Max

50mA

Max Collector Current

30mA

Input Current

20mA

Kılıf / Paket

PCB Mount

Forward Voltage

1.3V

Max Breakdown Voltage

30V

Genişlik

6.35mm

Algılama Mesafesi

0.125 (3.18mm)

Power Dissipation

100mW

Sensing Method

Through-Beam

Reach Svhc

No SVHC