OPB870P11

Teknik Özellikler

Algılama Mesafesi

0.125 (3.18mm)

Power Dissipation

100mW

Sensing Method

Through-Beam

Kılıf / Paket

Module, Pre-Wired

Max Collector Current

30mA

Current Dc Forward If Max

50mA

Output Configuration

Phototransistor

Currentcollector Ic Max

30mA

Forward Current

50mA

Montaj Tipi

Chassis Mount

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

30V

Maks. Çalışma Sıcaklığı

85°C

Pin Sayısı

4

Wavelength

890 nm

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~85°C

Touchscreen

Infrared (IR)

Collector Emitter Voltage Vceo

30V

Min. Çalışma Sıcaklığı

-40°C

Montaj

Chassis Mount

Parça Durumu

Obsolete

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Collectoremitter Breakdown Voltage

30V

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Tip

Unamplified

Ambalaj

Bulk

Yayın Yılı

2012