OPB870N51

Teknik Özellikler

Current Dc Forward If Max

50mA

Max Collector Current

30mA

Kılıf / Paket

Module, Pre-Wired

Forward Voltage

1.3V

Max Breakdown Voltage

30V

Sensing Method

Through-Beam

Power Dissipation

100mW

Algılama Mesafesi

0.125 (3.18mm)

Reach Svhc

Unknown

Pin Sayısı

4

Maks. Çalışma Sıcaklığı

85°C

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

30V

Montaj Tipi

Chassis Mount

Forward Current

50mA

Currentcollector Ic Max

30mA

Output Configuration

Phototransistor

Number Of Elements

1

Collectoremitter Breakdown Voltage

30V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Parça Durumu

Active

Montaj

Chassis Mount, Through Hole

Min. Çalışma Sıcaklığı

-40°C

Collector Emitter Voltage Vceo

30V

Touchscreen

Infrared (IR)

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~85°C

Yayın Yılı

2012

Reverse Breakdown Voltage

2V

Fabrika Tedarik Süresi

10 Weeks

Ambalaj

Bulk

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Tip

Unamplified