OPB870N11

Teknik Özellikler

Number Of Elements

1

Output Configuration

Phototransistor

Currentcollector Ic Max

30mA

Forward Current

50mA

Montaj Tipi

Chassis Mount

Yükseklik

10.8mm

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

30V

Maks. Çalışma Sıcaklığı

85°C

Pin Sayısı

4

Algılama Mesafesi

0.125 (3.18mm)

Power Dissipation

100mW

Sensing Method

Through-Beam

Kılıf / Paket

Module, Pre-Wired

Forward Voltage

1.3V

Max Breakdown Voltage

30V

Genişlik

6.35mm

Max Collector Current

30mA

Current Dc Forward If Max

50mA

Radyasyon Dayanımı

No

Max Power Dissipation

100mW

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Tip

Unamplified

Ambalaj

Bulk

Fabrika Tedarik Süresi

12 Weeks

Reverse Breakdown Voltage

2V

Yayın Yılı

2012

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~85°C

Touchscreen

Infrared (IR)

Min. Çalışma Sıcaklığı

-40°C

Collector Emitter Voltage Vceo

30V

Montaj

Chassis Mount, Through Hole

Parça Durumu

Active

Collectoremitter Breakdown Voltage

30V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Uzunluk

12.32mm