OPB867L51

Teknik Özellikler

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Collectoremitter Breakdown Voltage

30V

Parça Durumu

Obsolete

Montaj

Through Hole

Min. Çalışma Sıcaklığı

-40°C

Collector Emitter Voltage Vceo

30V

Touchscreen

Infrared (IR)

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~85°C

Yayın Yılı

2012

Ambalaj

Bulk

Tip

Unamplified

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Current Dc Forward If Max

50mA

Max Collector Current

30mA

Kılıf / Paket

PCB Mount

Sensing Method

Through-Beam

Power Dissipation

100mW

Algılama Mesafesi

0.125 (3.18mm)

Wavelength

890 nm

Pin Sayısı

4

Maks. Çalışma Sıcaklığı

85°C

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

30V

Montaj Tipi

Through Hole

Forward Current

50mA

Currentcollector Ic Max

30mA

Output Configuration

Phototransistor