OPB355N

Teknik Özellikler

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~85°C

Yayın Yılı

2006

Parça Durumu

Obsolete

Algılama Mesafesi

0.125 (3.18mm)

Power Dissipation

100mW

Sensing Method

Through-Beam

Ambalaj

Bulk

Pin Sayısı

4

Min. Çalışma Sıcaklığı

-40°C

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Montaj Tipi

Through Hole

Forward Current

50mA

Reverse Voltage

2V

Maks. Çalışma Sıcaklığı

85°C

Output Configuration

Phototransistor

Wavelength

890 nm