Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 50V
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Power Max
- 1W
- RoHS Durumu
- Non-RoHS Compliant
- Emitter Base Voltage Vebo
- 6V
- Montaj
- Surface Mount
- Genişlik
- 8.89mm
- Power Dissipation
- 500mW
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 1V
- Transistor Type
- 4 NPN (Quad)
- Current Collector Cutoff Max
- 10nA ICBO
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Kılıf / Paket
- 20-CLCC
- Max Power Dissipation
- 1W
- Yayın Yılı
- 1997
- Min. Çalışma Sıcaklığı
- -65°C
- Collectoremitter Saturation Voltage
- 1V
- Parça Durumu
- Obsolete
- Ambalaj
- Bulk
- Çalışma Sıcaklığı
- -65°C~200°C TJ
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- 200°C
- Uzunluk
- 8.89mm
- Tedarikçi Cihaz Paketi
- 20-CLCC
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 1V @ 50mA, 500mA
- Collector Base Voltage Vcbo
- 75V
- Yükseklik
- 1.905mm
- Max Collector Current
- 800mA
- Fabrika Tedarik Süresi
- 10 Weeks
- Pin Sayısı
- 20
- Currentcollector Ic Max
- 800mA
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 50V
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 100 @ 150mA 10V
İlgili Ürünler
Echelon Corporation
15400R-57B
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15401R-47BP
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15402R-47B
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060A
Arrays BJT Transistors
Microsemi Corporation
2N2060L
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060M
Arrays BJT Transistors
Seme LAB
2N2223
Arrays BJT Transistors