Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Current Collector Cutoff Max
- 10nA ICBO
- Element Configuration
- Dual
- Collector Base Voltage Vcbo
- 60V
- Continuous Collector Current
- 600mA
- Ambalaj
- Bulk
- Parça Durumu
- Active
- Polarity
- NPN, PNP
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 40V
- Power Max
- 600mW
- Fabrika Tedarik Süresi
- 15 Weeks
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 400mV @ 15mA, 150mA
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 100 @ 150mA 10V
- Kılıf / Paket
- 6-CLCC
- Number Of Elements
- 2
- Max Collector Current
- 600mA
- Min. Çalışma Sıcaklığı
- -65°C
- Pin Sayısı
- 6
- Max Power Dissipation
- 600mW
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- 200°C
- Genişlik
- 4.445mm
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 40V
- RoHS Durumu
- Non-RoHS Compliant
- Currentcollector Ic Max
- 600mA
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Montaj
- Surface Mount
- Çalışma Sıcaklığı
- -65°C~200°C TJ
- Collectoremitter Saturation Voltage
- 400mV
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 40V
- Transistor Type
- NPN, PNP
- Yükseklik
- 2.032mm
- Uzunluk
- 6.35mm
- Yayın Yılı
- 1997
- Tedarikçi Cihaz Paketi
- 6-CLCC
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Hfemin
- 100
- Power Dissipation
- 600mW
- Emitter Base Voltage Vebo
- 5V
İlgili Ürünler
Echelon Corporation
15400R-57B
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15401R-47BP
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15402R-47B
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060A
Arrays BJT Transistors
Microsemi Corporation
2N2060L
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060M
Arrays BJT Transistors
Seme LAB
2N2223
Arrays BJT Transistors