Adet bazlı fiyat
- 1+ adet$1.10
- 10+ adet$1.03
- 100+ adet$0.98
- 500+ adet$0.92
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Max Power Dissipation
- 1.1W
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 80 @ 1mA 5V
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Yayın Yılı
- 2010
- Fabrika Tedarik Süresi
- 18 Weeks
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Ambalaj
- Bulk
- Transistor Type
- NPN
- Montaj
- Through Hole
- Parça Durumu
- Active
- Collector Base Voltage Vcbo
- 600V
- Çalışma Sıcaklığı
- 150°C TJ
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 1V
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 285V
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 1V @ 62.5mA, 500mA
- Number Of Elements
- 1
- Pin Sayısı
- 3
- Montaj Tipi
- Through Hole
- Emitter Base Voltage Vebo
- 7V
- Power Dissipation
- 1.1W
- Kılıf / Paket
- TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- Current Collector Cutoff Max
- 10μA ICBO
- Max Collector Current
- 1.5A
İlgili Ürünler
ON Semiconductor
12A02CH-TL-E
Single BJT Transistors
ON Semiconductor
12A02MH-TL-E
Single BJT Transistors
ON Semiconductor
15C01C-TB-E
Single BJT Transistors
Stokta
Sanyo
15C01M-TL-E
Single BJT Transistors
ON Semiconductor
15C01SS-TL-E
Single BJT Transistors
ON Semiconductor
15C02CH-TL-E
Single BJT Transistors
ON Semiconductor
15C02MH-TL-E
Single BJT Transistors
Stokta
Microchip Technology
2C2222A
Single BJT Transistors