Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Resistor Base R1
- 4.7k Ω
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 300mV @ 250μA, 5mA
- Max Power Dissipation
- 100mW
- Polarity
- NPN, PNP
- Weight
- 3.005049mg
- Fabrika Tedarik Süresi
- 18 Weeks
- Collector Emitter Voltage Vceo
- -50V
- Parça Durumu
- Discontinued
- Ambalaj
- Cut Tape (CT)
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 50V
- Emitter Base Voltage Vebo
- -5V
- Hfemin
- 120
- Currentcollector Ic Max
- 100mA
- Frequency Transition
- 250MHz 200MHz
- Continuous Collector Current
- -100mA
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
- Kılıf / Paket
- SOT-563, SOT-666
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Number Of Channels
- 2
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 120 @ 1mA 5V
- Transistor Type
- 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Current Collector Cutoff Max
- 100nA ICBO
İlgili Ürünler
Panjit
2SC164S_R1_00001
BJT Transistors Arrays
Diodes Incorporated
ACX114EUQ-13R
BJT Transistors Arrays
Diodes Incorporated
ACX114EUQ-7R
BJT Transistors Arrays
Diodes Incorporated
ACX114YUQ-13R
BJT Transistors Arrays
Diodes Incorporated
ACX114YUQ-7R
BJT Transistors Arrays
Diodes Incorporated
ACX115EUQ-13R
BJT Transistors Arrays
Diodes Incorporated
ACX115EUQ-7R
BJT Transistors Arrays
Diodes Incorporated
ACX124EUQ-13R
BJT Transistors Arrays