Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
- Power Dissipationmax Abs
- 0.1W
- Kılıf / Paket
- SOT-563, SOT-666
- Frequency Transition
- 200MHz
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Number Of Elements
- 2
- Transistor Element Material
- SILICON
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Transistor Type
- 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
- Current Collector Cutoff Max
- 100nA ICBO
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 80 @ 10mA 5V
- Polaritychannel Type
- PNP
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 300mV @ 250μA, 5mA
- Resistor Emitter Base R2
- 47k Ω
- Yüzey Montaj
- YES
- REACH Uyumluluk Kodu
- unknown
- Resistor Base R1
- 2.2k Ω
- Power Max
- 100mW
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Parça Durumu
- Obsolete
- Currentcollector Ic Max
- 100mA
- Yayın Yılı
- 2014
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 50V
İlgili Ürünler
Stokta
Panjit
2SC164S_R1_00001
BJT Transistors Arrays
Diodes Incorporated
ACX114EUQ-13R
BJT Transistors Arrays
Diodes Incorporated
ACX114EUQ-7R
BJT Transistors Arrays
Diodes Incorporated
ACX114YUQ-13R
BJT Transistors Arrays
Diodes Incorporated
ACX114YUQ-7R
BJT Transistors Arrays
Diodes Incorporated
ACX115EUQ-13R
BJT Transistors Arrays
Diodes Incorporated
ACX115EUQ-7R
BJT Transistors Arrays
Diodes Incorporated
ACX124EUQ-13R
BJT Transistors Arrays

