+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix
RN2962FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2962FE(TE85L,F)

BJT Transistors Arrays

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Yüzey Montaj
YES
Resistor Emitter Base R2
1k Ω
Vce Saturation Max Ib Ic
300mV @ 250μA, 5mA
Resistor Base R1
10k Ω
Power Max
100mW
Ambalaj
Tape & Reel (TR)
Parça Durumu
Obsolete
Currentcollector Ic Max
100mA
Voltage Collector Emitter Breakdown Max
50V
Yayın Yılı
2014
Power Dissipationmax Abs
0.1W
Kılıf / Paket
SOT-563, SOT-666
RoHS Durumu
RoHS Compliant
Frequency Transition
200MHz
Nem Hassasiyeti (MSL)
1 (Unlimited)
Transistor Element Material
SILICON
Number Of Elements
2
Current Collector Cutoff Max
100nA ICBO
Transistor Type
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Montaj Tipi
Surface Mount
Polaritychannel Type
PNP
Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
50 @ 10mA 5V

İlgili Ürünler

  • Panjit

    2SC164S_R1_00001

    BJT Transistors Arrays
  • Diodes Incorporated

    ACX114EUQ-13R

    BJT Transistors Arrays
  • Diodes Incorporated

    ACX114EUQ-7R

    BJT Transistors Arrays
  • Diodes Incorporated

    ACX114YUQ-13R

    BJT Transistors Arrays
  • Diodes Incorporated

    ACX114YUQ-7R

    BJT Transistors Arrays
  • Diodes Incorporated

    ACX115EUQ-13R

    BJT Transistors Arrays
  • Diodes Incorporated

    ACX115EUQ-7R

    BJT Transistors Arrays
  • Diodes Incorporated

    ACX124EUQ-13R

    BJT Transistors Arrays
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek