+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix
RN2911FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2911FE(TE85L,F)

BJT Transistors Arrays

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Ambalaj
Tape & Reel (TR)
Parça Durumu
Active
Resistor Base R1
10k Ω
REACH Uyumluluk Kodu
unknown
Fabrika Tedarik Süresi
12 Weeks
Collector Emitter Voltage Vceo
300mV
Number Of Elements
2
Transistor Element Material
SILICON
Current Collector Cutoff Max
100nA ICBO
Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
120 @ 1mA 5V
Polaritychannel Type
PNP
Collectoremitter Breakdown Voltage
50V
Max Collector Current
100mA
Yayın Yılı
2014
Vce Saturation Max Ib Ic
300mV @ 250μA, 5mA
Power Max
100mW
Max Breakdown Voltage
50V
Montaj
Surface Mount
Max Power Dissipation
100mW
Transistor Type
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Montaj Tipi
Surface Mount
Kılıf / Paket
SOT-563, SOT-666
RoHS Durumu
RoHS Compliant
Frequency Transition
200MHz
Nem Hassasiyeti (MSL)
1 (Unlimited)

İlgili Ürünler

  • Panjit

    2SC164S_R1_00001

    BJT Transistors Arrays
  • Diodes Incorporated

    ACX114EUQ-13R

    BJT Transistors Arrays
  • Diodes Incorporated

    ACX114EUQ-7R

    BJT Transistors Arrays
  • Diodes Incorporated

    ACX114YUQ-13R

    BJT Transistors Arrays
  • Diodes Incorporated

    ACX114YUQ-7R

    BJT Transistors Arrays
  • Diodes Incorporated

    ACX115EUQ-13R

    BJT Transistors Arrays
  • Diodes Incorporated

    ACX115EUQ-7R

    BJT Transistors Arrays
  • Diodes Incorporated

    ACX124EUQ-13R

    BJT Transistors Arrays
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek