Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Transistor Type
- PNP - Pre-Biased
- Polaritychannel Type
- PNP
- Current Collector Cutoff Max
- 500nA
- Resistor Base R1
- 1 k Ω
- Resistor Emitter Base R2
- 10 k Ω
- Collector Emitter Voltage Vceo
- -50V
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 90 @ 100mA 1V
- Number Of Elements
- 1
- Frequency Transition
- 200MHz
- Yayın Yılı
- 2014
- Power Dissipationmax Abs
- 0.2W
- RoHS Durumu
- Non-RoHS Compliant
- Currentcollector Ic Max
- 800mA
- Yüzey Montaj
- YES
- Transistor Element Material
- SILICON
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Parça Durumu
- Active
- Fabrika Tedarik Süresi
- 12 Weeks
- Power Max
- 200mW
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 50V
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 250mV @ 1mA, 50mA
- Kılıf / Paket
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
İlgili Ürünler
Panjit
2SC164S_R2_00001
Pre-Biased BJT Transistors
Aptina
2SC3402-AC
Pre-Biased BJT Transistors
Renesas Electronics America Inc
2SD1697-AZ
Pre-Biased BJT Transistors
IMP
4245.08.00
Pre-Biased BJT Transistors
IMP
4245.08.01
Pre-Biased BJT Transistors
Nexperia
934055050115
Pre-Biased BJT Transistors
WEIDMÜLLER
9500640000 PCF 7.50/04/180 3.5SN OR BX
Pre-Biased BJT Transistors
Diodes Incorporated
ADA123JUQ-7
Pre-Biased BJT Transistors