Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 70 @ 10mA 5V
- Currentcollector Ic Max
- 100mA
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 50V
- Fabrika Tedarik Süresi
- 18 Weeks
- Resistor Emitter Base R2
- 22 k Ω
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 300mV @ 500μA, 5mA
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
- Transistor Type
- PNP - Pre-Biased
- Current Collector Cutoff Max
- 100nA ICBO
- Yayın Yılı
- 2016
- Power Max
- 150mW
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Parça Durumu
- Active
- Resistor Base R1
- 22 k Ω
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Kılıf / Paket
- SOT-723
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
İlgili Ürünler
Panjit
2SC164S_R2_00001
Pre-Biased BJT Transistors
Aptina
2SC3402-AC
Pre-Biased BJT Transistors
Renesas Electronics America Inc
2SD1697-AZ
Pre-Biased BJT Transistors
IMP
4245.08.00
Pre-Biased BJT Transistors
IMP
4245.08.01
Pre-Biased BJT Transistors
Nexperia
934055050115
Pre-Biased BJT Transistors
WEIDMÜLLER
9500640000 PCF 7.50/04/180 3.5SN OR BX
Pre-Biased BJT Transistors
Diodes Incorporated
ADA123JUQ-7
Pre-Biased BJT Transistors