Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Montaj Stili
- SMD/SMT
- Emitter Base Voltage Vebo
- 10 V
- Pd Power Dissipation
- 200 mW
- Typical Resistor Ratio
- 1
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- + 150 C
- Typical Input Resistor
- 47 kOhms
- Fabrika Paket Adedi
- 3000
- Qualification
- AEC-Q101
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 300mV @ 250μA, 5mA
- RoHS
- Details
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 50V
- Tedarikçi Cihaz Paketi
- US6
- Ambalaj
- MouseReel
- Ürün Durumu
- Active
- Kılıf / Paket
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Collector Emitter Voltage Vceo Max
- 50 V
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Resistor Base R1
- 47kOhms
- Power Max
- 200mW
- Ürün Tipi
- BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
- Continuous Collector Current
- 100 mA
- Frequency Transition
- 250MHz
- Configuration
- Dual
- Transistor Polarity
- NPN
- Current Collector Cutoff Max
- 500nA
- Transistor Type
- 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
- Resistor Emitter Base R2
- 47kOhms
- Currentcollector Ic Max
- 100mA
- Seri
- Automotive, AEC-Q101
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 80 @ 10mA, 5V
İlgili Ürünler
Panjit
2SC164S_R1_00001
BJT Transistors Arrays
Diodes Incorporated
ACX114EUQ-13R
BJT Transistors Arrays
Diodes Incorporated
ACX114EUQ-7R
BJT Transistors Arrays
Diodes Incorporated
ACX114YUQ-13R
BJT Transistors Arrays
Diodes Incorporated
ACX114YUQ-7R
BJT Transistors Arrays
Diodes Incorporated
ACX115EUQ-13R
BJT Transistors Arrays
Diodes Incorporated
ACX115EUQ-7R
BJT Transistors Arrays
Diodes Incorporated
ACX124EUQ-13R
BJT Transistors Arrays