+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix
RN1710JE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1710JE(TE85L,F)

BJT Transistors Arrays

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Transistor Element Material
SILICON
Kılıf / Paket
SOT-553
Number Of Elements
2
Ambalaj
Tape & Reel (TR)
Nem Hassasiyeti (MSL)
1 (Unlimited)
Power Max
100mW
Resistor Base R1
4.7k Ω
Parça Durumu
Active
Polaritychannel Type
NPN
Montaj Tipi
Surface Mount
Current Collector Cutoff Max
100nA ICBO
Frequency Transition
250MHz
Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
120 @ 1mA 5V
Yüzey Montaj
YES
Currentcollector Ic Max
100mA
Fabrika Tedarik Süresi
10 Weeks
Voltage Collector Emitter Breakdown Max
50V
RoHS Durumu
RoHS Compliant
Transistor Type
2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power Dissipationmax Abs
0.1W
Vce Saturation Max Ib Ic
300mV @ 250μA, 5mA

İlgili Ürünler

  • Panjit

    2SC164S_R1_00001

    BJT Transistors Arrays
  • Diodes Incorporated

    ACX114EUQ-13R

    BJT Transistors Arrays
  • Diodes Incorporated

    ACX114EUQ-7R

    BJT Transistors Arrays
  • Diodes Incorporated

    ACX114YUQ-13R

    BJT Transistors Arrays
  • Diodes Incorporated

    ACX114YUQ-7R

    BJT Transistors Arrays
  • Diodes Incorporated

    ACX115EUQ-13R

    BJT Transistors Arrays
  • Diodes Incorporated

    ACX115EUQ-7R

    BJT Transistors Arrays
  • Diodes Incorporated

    ACX124EUQ-13R

    BJT Transistors Arrays
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek