Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Transistor Element Material
- SILICON
- Kılıf / Paket
- SOT-553
- Number Of Elements
- 2
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Power Max
- 100mW
- Resistor Base R1
- 22k Ω
- Parça Durumu
- Active
- Polaritychannel Type
- NPN
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Current Collector Cutoff Max
- 500nA
- Frequency Transition
- 250MHz
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 80 @ 10mA 5V
- Yüzey Montaj
- YES
- Currentcollector Ic Max
- 100mA
- Resistor Emitter Base R2
- 47k Ω
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 50V
- Fabrika Tedarik Süresi
- 10 Weeks
- Transistor Type
- 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
- Power Dissipationmax Abs
- 0.1W
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 300mV @ 250μA, 5mA
İlgili Ürünler
Panjit
2SC164S_R1_00001
BJT Transistors Arrays
Diodes Incorporated
ACX114EUQ-13R
BJT Transistors Arrays
Diodes Incorporated
ACX114EUQ-7R
BJT Transistors Arrays
Diodes Incorporated
ACX114YUQ-13R
BJT Transistors Arrays
Diodes Incorporated
ACX114YUQ-7R
BJT Transistors Arrays
Diodes Incorporated
ACX115EUQ-13R
BJT Transistors Arrays
Diodes Incorporated
ACX115EUQ-7R
BJT Transistors Arrays
Diodes Incorporated
ACX124EUQ-13R
BJT Transistors Arrays