Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Typical Resistor Ratio
- 0.47
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- + 150 C
- Montaj Stili
- SMD/SMT
- Pd Power Dissipation
- 200 mW
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 300mV @ 250μA, 5mA
- Tedarikçi Cihaz Paketi
- S-Mini
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 50 V
- Typical Input Resistor
- 4.7 kOhms
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Resistor Base R1
- 4.7 kOhms
- Power Max
- 200 mW
- Ürün Durumu
- Active
- Collector Emitter Voltage Vceo Max
- 50 V
- Kılıf / Paket
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Transistor Type
- NPN - Pre-Biased
- Resistor Emitter Base R2
- 10 kOhms
- Currentcollector Ic Max
- 100 mA
- Dc Collectorbase Gain Hfe Min
- 50 at 10 mA, 5 V
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 50 @ 10mA, 5V
- Continuous Collector Current
- 100 mA
- Frequency Transition
- 250 MHz
- Current Collector Cutoff Max
- 500nA
- Transistor Polarity
- NPN
- Configuration
- Single
İlgili Ürünler
Panjit
2SC164S_R2_00001
Pre-Biased BJT Transistors
Aptina
2SC3402-AC
Pre-Biased BJT Transistors
Renesas Electronics America Inc
2SD1697-AZ
Pre-Biased BJT Transistors
IMP
4245.08.00
Pre-Biased BJT Transistors
IMP
4245.08.01
Pre-Biased BJT Transistors
Nexperia
934055050115
Pre-Biased BJT Transistors
WEIDMÜLLER
9500640000 PCF 7.50/04/180 3.5SN OR BX
Pre-Biased BJT Transistors
Diodes Incorporated
ADA123JUQ-7
Pre-Biased BJT Transistors