Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Resistor Emitter Base R2
- 10 k Ω
- Max Collector Current
- 100mA
- Montaj
- Surface Mount
- Max Power Dissipation
- 100mW
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Max Breakdown Voltage
- 50V
- Number Of Elements
- 1
- Parça Durumu
- Active
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
- Resistor Base R1
- 4.7 k Ω
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 300mV @ 250μA, 5mA
- Yayın Yılı
- 1999
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 50 @ 10mA 5V
- Current Collector Cutoff Max
- 500nA
- Frequency Transition
- 250MHz
- Transistor Type
- NPN - Pre-Biased
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 300mV
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 50V
- Polaritychannel Type
- NPN
- Power Max
- 100mW
- Transistor Element Material
- SILICON
- Fabrika Tedarik Süresi
- 16 Weeks
- Kılıf / Paket
- SC-75, SOT-416
İlgili Ürünler
Panjit
2SC164S_R2_00001
Pre-Biased BJT Transistors
Aptina
2SC3402-AC
Pre-Biased BJT Transistors
Renesas Electronics America Inc
2SD1697-AZ
Pre-Biased BJT Transistors
IMP
4245.08.00
Pre-Biased BJT Transistors
IMP
4245.08.01
Pre-Biased BJT Transistors
Nexperia
934055050115
Pre-Biased BJT Transistors
WEIDMÜLLER
9500640000 PCF 7.50/04/180 3.5SN OR BX
Pre-Biased BJT Transistors
Diodes Incorporated
ADA123JUQ-7
Pre-Biased BJT Transistors