+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1106MFV,L3F(CT

Pre-Biased BJT Transistors

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
80 @ 1mA 5V
Ambalaj
Tape & Reel (TR)
Resistor Emitter Base R2
47 k Ω
Resistor Base R1
4.7 k Ω
Nem Hassasiyeti (MSL)
1 (Unlimited)
Vce Saturation Max Ib Ic
300mV @ 500μA, 5mA
Current Collector Cutoff Max
500nA
Voltage Collector Emitter Breakdown Max
50V
Power Max
150mW
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Montaj Tipi
Surface Mount
Currentcollector Ic Max
100mA
Kılıf / Paket
SOT-723
Fabrika Tedarik Süresi
10 Weeks
Parça Durumu
Active

İlgili Ürünler

  • Panjit

    2SC164S_R2_00001

    Pre-Biased BJT Transistors
  • Aptina

    2SC3402-AC

    Pre-Biased BJT Transistors
  • Renesas Electronics America Inc

    2SD1697-AZ

    Pre-Biased BJT Transistors
  • IMP

    4245.08.00

    Pre-Biased BJT Transistors
  • IMP

    4245.08.01

    Pre-Biased BJT Transistors
  • Nexperia

    934055050115

    Pre-Biased BJT Transistors
  • WEIDMÜLLER

    9500640000 PCF 7.50/04/180 3.5SN OR BX

    Pre-Biased BJT Transistors
  • Diodes Incorporated

    ADA123JUQ-7

    Pre-Biased BJT Transistors
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek